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      天津大學2020考研813半導體物理與器件考試大綱

      來源:跨考教育網 2019-07-01 15:44:28 【跨考教育直屬網站 打造專業化考研平臺】

        考研大綱是2020考研學生復習的重要參考資料,它指出了所考科目的大致考試范圍,也是考研命題的重要參考依據。2020考研大綱預計將于7月中旬公布,包括公共課考試大綱和專業課統考科目考試大綱,而自命題科目考試大綱則一般由招生院校自行公布。目前各大招生院校已經開始陸續發布自命題科目考試大綱,跨考研招網小編特為大家作了整理。下面是天津大學2020考研813半導體物理與器件考試大綱,以供大家復習作參考。

        一、考試的總體要求

        本課程為本專業主干專業基礎課,要求考生掌握半導體物理的基本概念、p-n結、MOS結構、雙極晶體管、MOS晶體管等基本原理和應用。

        二、考試的內容及比例

        (一)考試內容要點:

        第一部分:(50%)

        1、半導體能帶結構、半導體有效質量、空穴、雜質能級;

        2、熱平衡狀態下半導體載流子的統計分布,本征半導體和雜質半導體的載流子濃度,簡并半導體和重摻雜效應;

        3、半導體的導電性:載流子的漂移運動、遷移率、散射、強電場效應、熱載流子的概念,半導體電阻率與溫度、雜質濃度的關系,體內負微分電導;

        4、非平衡載流子:非平衡載流子的產生、復合、壽命、擴散長度、準費米能級,愛因斯坦關系,一維穩定擴散,光激發載流子衰減;

        5、p-n結、MOS結構:平衡與非平衡p-n結特點及其能帶圖,pn結理想和非理想I-V特性,p-n結電容概念與擊穿機制,p-n結隧道效應、肖特基勢壘二極管;

        6、MOS結構表面電場效應,理想與實際MOS結構C-V特性,MOS系統的性質(固定電荷、可動離子、界面態對C-V特性的影響),表面電場對p-n結特性的影響;

        第二部分:(50%)

        7、雙極晶體管的基本結構、原理,少數子分布,低頻電流增益和非理想效應;

        8、雙極晶體管的等效電路模型、頻率特性和開關特性;

        9、MOSFET的基本結構、原理,閾值電壓,電流電壓關系,擊穿特性

        10、MOSFET的小信號模型和頻率特性;

        11、MOSFET的非理想特性:亞閾值特性、溝道長度調制效應、短溝道效應和;

        12、結型場效應晶體管的結構和基本工作原理;

        13、光器件與功率器件的原理、特點與應用。

        (二)比例:

        兩部分考試內容各占50%。

        三、試卷題型及比例

        1、概念與問答題:40%;

        2、論述題:30%;

        3、計算與推導題:20%;

        4、實驗與綜合題:10%。

        四、考試形式及時間

        考試形式均為筆試。考試時間為3小時(滿分150)。

        五、參考書目

        半導體物理學,(第七版),劉恩科、朱秉升、羅晉生編著,電子工業出版社。

        半導體物理與器件,(第四版),趙毅強、姚素英等譯,電子工業出版社。

        晶體管原理與設計,陳星弼 張慶中等, 電子工業出版社。

        以上就是天津大學2020考研813半導體物理與器件考試大綱,如果大家對于2020考研有任何疑問,可以在線咨詢考研輔導老師

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        隨著考研大綱發布時間的提前,2020年全國碩士研究生招生考試公告也提前發布了,2020考研時間定在了12月21、22兩日,與之前預想的一樣,在這個馬上上就要開學的階段,小伙伴們的復習重點應該放在整合提升和查缺補漏上了。就目前的階段,各科真題的演練,復習速度略快的小伙伴要做到每周一次了,而復習略慢的也要半個月走一遍各科真題,如果知識點鞏固尚有問題的小伙伴也可以從真題中抓重點,有側重性的進行知識點的整合了。

            跨考教育秋季集訓營也應需求而開營了,更加側重知識點整合和定向查缺補漏,在鞏固拔高的階段助以一臂之力。

        小編整理了歷年考研真題及答案解析關注微信公眾號:跨考考研,回復“真題”即可獲得,說不定還能找到一起上自習的研友哦!

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